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FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V,5A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：37mΩ@2.5V,3.5A
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@4.5V,2A
集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：250mW，直流电流增益(hFE)：80@10mA,5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：150mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：5.2mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@2.5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：33@10mA,5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：660mA，导通电阻(RDS(on))：520mΩ@4.5V,0.66A
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：320mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 300mA，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：68A，导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ@10V,7A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：170mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@10V,100mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@4.5V
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：110A，导通电阻(RDS(on))：3.9mΩ@10V,55A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V,1mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@2.5V,4A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：625mW
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：300mW
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：230mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 欧姆 @ 50mA，5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@4.5V,3A
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：250mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@2.75V,0.2A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：370mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：190mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V,6.5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：10.5mΩ@4.5V
集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：225mW，直流电流增益(hFE)：200@50mA,1V
通道数：八路，集射击穿电压(Vceo)：50V，最大输入电压(VI)：30V，工作温度：-30℃~+105℃
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V,2A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@10V,4.1A
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：500mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：170mΩ@4.5V,3A
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，20V