SI2319A
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.15912
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场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):4.4A,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@10V;95mΩ@4.5V
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SI2319A
UMW(广东友台半导体)
SOT-23-3

3000+:¥0.15912

1+:¥0.17888

5223

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SI2319A
UMW(友台半导体)
SOT-23

9000+:¥0.1648

6000+:¥0.1762

3000+:¥0.1989

300+:¥0.2534

100+:¥0.2912

10+:¥0.3669

72080

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SI2319A
友台半导体(UMW)
SOT-23-3

30000+:¥0.1705

6000+:¥0.1841

3000+:¥0.1938

800+:¥0.2713

100+:¥0.3876

20+:¥0.6008

5224

-
SI2319A
UMW(友台)
SOT-23-3

3000+:¥0.2325

200+:¥0.2613

130+:¥0.4056

5244

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SI2319A
UMW
SOT-23-3

1+:¥0.245

585

2219
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数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 4.4A
导通电阻(RDS(on)) 70mΩ@10V;95mΩ@4.5V