MMUN2233LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.054054
440,602
数字晶体管
晶体管类型:NPN - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms
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MMUN2233LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

51000+:¥0.0541

24000+:¥0.0579

6000+:¥0.065

3000+:¥0.074

500+:¥0.0879

50+:¥0.1128

13150

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MMUN2233LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

3000+:¥0.0608

1000+:¥0.0667

100+:¥0.0716

1+:¥0.0765

29829

2438
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MMUN2233LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.0634

6000+:¥0.0685

3000+:¥0.0721

800+:¥0.1009

100+:¥0.1442

20+:¥0.2235

1753

-
MMUN2233LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.068

1+:¥0.0857

50258

25+
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MMUN2233LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.07072

1+:¥0.08913

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 47 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 246 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3