IRLML6402
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.15704
19,156
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):3.7A,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@2.5V,3.1A
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IRLML6402
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

3000+:¥0.151

1+:¥0.172

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IRLML6402
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.15704

1+:¥0.17888

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IRLML6402
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

9000+:¥0.16

6000+:¥0.1701

3000+:¥0.1903

300+:¥0.2425

100+:¥0.2761

10+:¥0.3433

12790

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IRLML6402
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.2265

1500+:¥0.258

200+:¥0.297

130+:¥0.3978

3186

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3天-15天
IRLML6402
BORN/深圳伯恩半导体
SOT-23

9000+:¥0.1567

6000+:¥0.1667

3000+:¥0.1821

300+:¥0.2269

100+:¥0.2729

10+:¥0.3229

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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 3.7A
导通电阻(RDS(on)) 80mΩ@2.5V,3.1A