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不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：320mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V,3A，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：63mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：18V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@4.5V,6.5A
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.47A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：49mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@10V,5A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：12V，耗散功率(Pd)：1.2W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：4.2Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V；33mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 1mA，10mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8.8A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：880mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：260 毫欧 @ 880mA，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：14A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，导通电阻(RDS(on))：3.5Ω@10V,0.23A，耗散功率(Pd)：360mW
晶体管类型：NPN，电压 - 集射极击穿（最大值）：12V，频率 - 跃迁：6GHz，噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz，增益：9.5dB ~ 14.5dB
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：25W
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：5.2mΩ@10V，耗散功率(Pd)：65W
漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：2.3Ω@10V，阈值电压(Vgs(th))：4V@250uA
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：17A，导通电阻(RDS(on))：105mΩ@10V，耗散功率(Pd)：79W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：100A，耗散功率(Pd)：51.6W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：1.8A，导通电阻(RDS(on))：750mΩ@10V,3A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：8A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：50W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：28A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V,5.3A，耗散功率(Pd)：50W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：54A，导通电阻(RDS(on))：9.7mΩ@4.5V,9A
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：210mΩ@10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：19mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.65A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：7.7mΩ@10V，耗散功率(Pd)：105W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.8mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：65W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V,38.8A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
保持电流(Ih)：80mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，门极触发电流(Igt)：50mA，通态峰值电压(Vtm)：1.55V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 50mA，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V