咨询/建议
MUN5233DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
数字晶体管
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
MUN5233DW1T1G
|
ON(安森美)
|
SOT-363
|
3000+:￥0.19588 |
35700 |
25+
|
1-3工作日发货
|
硬之城
|
|
MUN5233DW1T1G
|
ON(安森美)
|
SC-88/SC70-6/SOT-363
|
3000+:￥0.198 1+:￥0.224 |
7678 |
2年内
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
MUN5233DW1T1G
|
ON(安森美)
|
SOT-363
|
3000+:￥0.2028 1+:￥0.2288 |
7670 |
2年内
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
MUN5233DW1T1G
|
ON SEMICONDUCTOR
|
SOT-363
|
1000+:￥0.2058 100+:￥0.2225 1+:￥0.2382 |
250 |
2204
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
MUN5233DW1T1G
|
onsemi(安森美)
|
SOT-363
|
3000+:￥0.2642 300+:￥0.2955 100+:￥0.3281 10+:￥0.3932 |
5630 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |