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T835-600B-TR
ST(意法半导体)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
晶闸管(可控硅)/模块
双向可控硅类型：可控硅 - 无缓冲器，电压 - 断态：600 V，电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）：8 A，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：1.3 V，电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：80A，84A
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TO-252-2(DPAK)
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 双向可控硅类型 | 可控硅 - 无缓冲器 |
| 电压 - 断态 | 600 V |
| 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值） | 8 A |
| 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值） | 1.3 V |
| 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 80A，84A |
| 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值） | 35 mA |
| 电流 - 保持 (Ih)（最大值） | 35 mA |
| 配置 | 单路 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63 |