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IRFH7004TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN-8(4.9x5.8)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFH7004TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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PQFN-8(4.9x5.8)
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1000+:￥2.1 500+:￥2.23 100+:￥2.99 30+:￥3.4 10+:￥3.81 1+:￥4.63 |
3649 |
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立创商城
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英飞凌(INFINEON)
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PQFN5x6
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40000+:￥3.982 8000+:￥4.2988 4000+:￥4.525 1000+:￥6.335 300+:￥9.05 10+:￥14.7289 |
9550 |
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油柑网
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IRFH7004TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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QFN8
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500+:￥4.73 100+:￥5.24 20+:￥6.04 1+:￥8.04 |
3179 |
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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PQFN-8(5x6)
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4000+:￥2.33 1+:￥2.43 |
12 |
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圣禾堂
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INFINEON
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PG-TDSON-8
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1+:￥6.125 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 194 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6419 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 156W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |