NCE30H10K
NCE(无锡新洁能)
TO-252-2L
¥0.49542
55,138
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):100A,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,20A
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NCE30H10K
NCE(新洁能)
TO-252

2500+:¥0.4936

1+:¥0.5368

10488

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NCE30H10K
NCE(新洁能)
TO-252-2(DPAK)

5000+:¥0.49542

1000+:¥0.50462

500+:¥0.51382

100+:¥0.52256

10+:¥0.529

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24+
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NCE30H10K
NCE(新洁能)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥0.5133

1+:¥0.55823

10484

24+
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NCE30H10K
新洁能(NCE)
TO-252-2(DPAK)

25000+:¥0.5429

5000+:¥0.5862

2500+:¥0.617

800+:¥0.8638

200+:¥1.234

10+:¥2.0082

10488

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NCE30H10K
NCE(新洁能)
TO-252(DPAK)

2500+:¥0.5859

1000+:¥0.6359

500+:¥0.6423

50+:¥0.8707

5+:¥1.1078

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 100A
导通电阻(RDS(on)) 5.5mΩ@10V,20A