2N7002K-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.25841
4,674
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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封装
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2N7002K-T1-E3
Vishay(威世)
SOT23-3

5000+:¥0.2584

2000+:¥0.2653

500+:¥0.2769

300+:¥0.2999

100+:¥0.323

1+:¥0.3461

422

-
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2N7002K-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23

500+:¥0.326

150+:¥0.3652

50+:¥0.4174

5+:¥0.5219

980

-
立即发货
2N7002K-T1-E3
威世(VISHAY)
SOT-23-3

30000+:¥0.3285

6000+:¥0.3546

3000+:¥0.355

800+:¥0.4721

100+:¥0.6768

20+:¥1.1002

422

-
2N7002K-T1-E3
Vishay(威世)
SOT-23-3

1000+:¥0.716

500+:¥0.7856

300+:¥0.8751

120+:¥1.2649

2850

-
3周-4周
2N7002K-T1-E3
Vishay Intertechnology
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.2746

500+:¥0.2925

150+:¥0.3217

50+:¥0.3607

5+:¥0.4192

7023

2437+
1工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 30 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3