BUK98150-55A/CUF
Nexperia(安世)
SOT-223
¥0.6886
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):55 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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2000+:¥0.7919

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100+:¥1.2366

1+:¥1.6323

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4000+:¥0.7061

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150+:¥1.0271

50+:¥1.1678

5+:¥1.4961

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 137 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5.3 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 320 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 8W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA