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STL90N10F7
ST(意法半导体)
PowerFLAT-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：70A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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STL90N10F7
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ST(意法半导体)
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PowerFLAT-8(5x6)
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1000+:￥1.7 500+:￥1.79 100+:￥1.93 30+:￥2.26 10+:￥2.52 1+:￥3.12 |
3046 |
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立创商城
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STL90N10F7
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ST(意法半导体)
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PowerFLAT-5x6-8
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500+:￥1.78 100+:￥1.91 20+:￥2.22 1+:￥3.07 |
11804 |
21+/23+
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在芯间
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STL90N10F7
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ST(意法半导体)
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PowerFLAT-8
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1000+:￥2.0328 500+:￥2.1212 100+:￥2.298 30+:￥2.4747 1+:￥2.5631 |
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华秋商城
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STL90N10F7
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STMICROELECTRONICS
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PowerFLAT 5x6
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50+:￥6.1625 1+:￥6.4304 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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STL90N10F7
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STMicroelectronics
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150000+:￥2.2781 30000+:￥2.2984 6000+:￥2.3391 3000+:￥2.4205 |
6000 |
22+
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3-4工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.5 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 39 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3550 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），100W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |