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FDMS86101DC
onsemi(安森美)
PQFN-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.5A（Ta），60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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FDMS86101DC
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onsemi(安森美)
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PQFN-8(5x6)
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1000+:￥1.55 500+:￥1.66 100+:￥1.83 30+:￥2.23 10+:￥2.54 1+:￥3.28 |
3237 |
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立创商城
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FDMS86101DC
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ON SEMICONDUCTOR
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DFN-8
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1+:￥20.7084 |
38 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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FDMS86101DC
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onsemi(安森美)
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UDFN-8
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30+:￥2.52 10+:￥2.86 1+:￥3.53 |
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20+/21+
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在芯间
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FDMS86101DC
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ON(安森美)
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PQFN8
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1000+:￥9.44 500+:￥9.84 100+:￥10.64 30+:￥11.44 1+:￥11.84 |
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华秋商城
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FDMS86101DC
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ON(安森美)
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Dual Cool™56
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3000+:￥23.39 1+:￥23.85 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14.5A（Ta），60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 14.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 44 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3135 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |