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IRL540NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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TO-220-3
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1000+:￥2.808 1+:￥2.9432 |
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25+
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥3.113 100+:￥3.3606 50+:￥3.5375 20+:￥4.9525 10+:￥7.075 1+:￥11.5146 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥3.48 500+:￥3.65 100+:￥3.99 50+:￥4.55 10+:￥5.11 1+:￥6.23 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥2.7 1+:￥2.83 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥2.808 100+:￥2.9432 1+:￥3.6816 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 44 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 74 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |