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SI2303
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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3000+:￥0.0937 1+:￥0.118 |
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21000+:￥0.0978 9000+:￥0.1049 3000+:￥0.1182 600+:￥0.1523 200+:￥0.1778 20+:￥0.2237 |
16400 |
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UMW(友台)
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SOT-23
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3000+:￥0.1135 1200+:￥0.1462 300+:￥0.1707 20+:￥0.2147 |
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UMW(友台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.1406 1500+:￥0.177 200+:￥0.2835 90+:￥0.6226 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 155 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 900mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |