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NTD2955T4G
onsemi(安森美)
DPAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTD2955T4G
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onsemi
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TO-252-4
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2500+:￥1.5898 2000+:￥1.6693 1000+:￥1.7528 500+:￥1.9281 100+:￥2.1209 10+:￥2.3333 |
2500 |
2129
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壹探芯城
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NTD2955T4G
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ON(安森美)
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TO-252-4
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2500+:￥1.64 1+:￥1.72 |
1828 |
24+
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圣禾堂
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NTD2955T4G
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ON(安森美)
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TO-252-2(DPAK)
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5000+:￥1.64296 1000+:￥1.67347 500+:￥1.70398 100+:￥1.73296 1+:￥1.75432 |
60000 |
23+
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现货
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硬之城
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NTD2955T4G
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onsemi(安森美)
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DPAK
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1000+:￥1.683 500+:￥1.7919 100+:￥1.9899 30+:￥2.81 10+:￥3.15 1+:￥3.84 |
11634 |
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立创商城
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NTD2955T4G
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ON(安森美)
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TO-252-2(DPAK)
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2500+:￥1.7056 1+:￥1.7888 |
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 30 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 750 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 55W（Tj） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |