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ZXMP6A17GTA
DIODES(美台)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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ZXMP6A17GTA
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DIODES(美台)
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SOT223
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1000+:￥0.858 1+:￥0.931 |
454 |
2年内
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圣禾堂
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ZXMP6A17GTA
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美台(DIODES)
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SOT-223-4
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10000+:￥0.9383 2000+:￥1.013 1000+:￥1.0663 500+:￥1.4928 100+:￥2.1326 10+:￥3.4708 |
32000 |
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油柑网
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ZXMP6A17GTA
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DIODES(美台)
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SOT-223
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1000+:￥0.97 150+:￥1.22 50+:￥1.38 5+:￥1.77 |
2780 |
24+/25+
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在芯间
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Diodes(达尔)
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SOT-223
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50+:￥1.0241 40+:￥1.331 |
444 |
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唯样商城
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DIODES(美台)
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SOT-223
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200+:￥1.2653 50+:￥1.4012 5+:￥1.8076 |
125 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 637 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |