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SI2309CDS-T1-GE3-VB
VBsemi(微碧)
SOT-23(TO-236)
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3.8A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2309CDS-T1-GE3-VB
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VBsemi(微碧半导体)
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SOT-23(TO-236)
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6000+:￥0.7824 3000+:￥0.8331 500+:￥0.9141 150+:￥1.1035 50+:￥1.2553 5+:￥1.6097 |
1455 |
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立即发货
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立创商城
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SI2309CDS-T1-GE3-VB
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VBsemi/微碧半导体
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SOT-3
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3000+:￥0.7303 500+:￥0.762 300+:￥0.7938 10+:￥0.8573 |
400000 |
25+
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3-4工作日
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云汉芯城
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SI2309CDS-T1-GE3-VB
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VBsemi/微碧半导体
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SOT-3
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3000+:￥0.7303 500+:￥0.762 100+:￥0.7938 35+:￥0.8573 |
400000 |
25+
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4-6工作日
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云汉芯城
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SI2309CDS-T1-GE3-VB
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微碧半导体(VBsemi)
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SOT-23
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30000+:￥0.814 6000+:￥0.8788 3000+:￥0.925 800+:￥1.295 100+:￥1.85 20+:￥3.0109 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V |