HYG080N10LS1C2
HUAYI(华羿微)
PDFN5x6-8L
¥0.97
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场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):65A,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@4.5V
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HUAYI(华羿微)
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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 65A
导通电阻(RDS(on)) 13mΩ@4.5V