MMBFJ113
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.3651
460,584
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):35 V,不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):2 mA @ 15 V,不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):500 mV @ 1 µA,电阻 - RDS(On):100 Ohms
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封装
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MMBFJ113
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.3651

1000+:¥0.37188

500+:¥0.37866

100+:¥0.3851

10+:¥0.38985

439497

25+
现货
MMBFJ113
onsemi(安森美)
SOT-23

6000+:¥0.4499

3000+:¥0.4799

500+:¥0.6245

150+:¥0.7441

50+:¥0.835

5+:¥1.047

2590

-
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MMBFJ113
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.452

1+:¥0.484

1980

25+
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MMBFJ113
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.47008

1+:¥0.50336

1977

25+
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MMBFJ113
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.47008

1+:¥0.50336

2035

2年内
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 35 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) 2 mA @ 15 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) 500 mV @ 1 µA
电阻 - RDS(On) 100 Ohms
功率 - 最大值 350 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3