AON6512
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
PDFN-8(5.2x5.6)
¥1.35
29,689
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A(Ta),150A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AON6512
AOS
DFN(5x6)

500+:¥1.35

100+:¥1.51

20+:¥1.86

1+:¥2.25

4630

21+/22+
AON6512
AOS
DFN5x6-8L EP1

3000+:¥1.36

1+:¥1.42

4981

2年内
立即发货
AON6512
AOS(美国万代)
DFN-8(5x6)

3000+:¥1.3936

1+:¥1.4664

4955

2年内
1-2工作日发货
AON6512
AOS
PDFN-8(5.2x5.6)

30000+:¥1.474

6000+:¥1.5913

3000+:¥1.675

800+:¥2.345

100+:¥3.35

20+:¥5.4521

4961

-
AON6512
AOS(美国万代)
DFN 5x6

3000+:¥1.474

1500+:¥1.551

750+:¥1.639

100+:¥1.837

30+:¥2.299

4981

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 54A(Ta),150A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 64 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3430 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 7.4W(Ta),83W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerSMD,扁平引线