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AON6512
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
PDFN-8(5.2x5.6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：54A（Ta），150A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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AON6512
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AOS
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DFN5x6-8L EP1
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3000+:￥1.36 1+:￥1.42 |
4981 |
2年内
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圣禾堂
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AON6512
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AOS(美国万代)
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DFN-8(5x6)
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3000+:￥1.3936 1+:￥1.4664 |
4955 |
2年内
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硬之城
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AON6512
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AOS
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PDFN-8(5.2x5.6)
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30000+:￥1.474 6000+:￥1.5913 3000+:￥1.675 800+:￥2.345 100+:￥3.35 20+:￥5.4521 |
4961 |
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油柑网
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AON6512
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AOS(美国万代)
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DFN 5x6
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3000+:￥1.474 1500+:￥1.551 750+:￥1.639 100+:￥1.837 30+:￥2.299 |
4981 |
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唯样商城
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AOS
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PDFN-8(5.2x5.6)
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1000+:￥1.53 500+:￥1.62 100+:￥1.79 30+:￥2.12 10+:￥2.38 1+:￥3.0 |
3505 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 54A（Ta），150A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 64 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3430 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 7.4W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSMD，扁平引线 |