咨询/建议
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：90 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，30A
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：150A，耗散功率(Pd)：938W，正向压降(Vf)：1.9V@75A
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：100A，耗散功率(Pd)：428W
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，20A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：86 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：150 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，15A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，30A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：225 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A
停产
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：160 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，80A，功率 - 最大值：250 W
IGBT 类型：NPT，电压 - 集射极击穿（最大值）：1700 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.3V @ 15V，32A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：175 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：560 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，140A
电压 - 集射极击穿（最大值）：420 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：40 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 4.5V，10A，功率 - 最大值：150 W
IGBT类型：FS(场截止)，集射极击穿电压(Vces)：650V，集电极电流(Ic)：40A，耗散功率(Pd)：162W
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：18.8 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：30 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，10A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：14 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：20 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A，功率 - 最大值：75 W
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，20A
IGBT类型：NPT(非穿通型)，集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：21A，耗散功率(Pd)：167W
集射极击穿电压(Vces)：650V，集电极电流(Ic)：40A，正向压降(Vf)：2.55V@40A，集射极饱和电压(VCE(sat))：1.95V@40A,15V
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，40A，功率 - 最大值：260 W
不适用于新设计
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：150 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，50A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：90 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，30A
电压 - 集射极击穿（最大值）：430 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：21 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 4V，6A，功率 - 最大值：150 W，输入类型：逻辑
不适用于新设计
IGBT 类型：NPT，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：43 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，11A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，25A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：145 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，100A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，40A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，75A
电压 - 集射极击穿（最大值）：750 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：360 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.5V @ 15V，120A，功率 - 最大值：682 W