STGF20H60DF
ST(意法半导体)
TO-220FP
¥7.7988
7
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A
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STGF20H60DF
ST(意法半导体)
TO-220FP

1000+:¥7.7988

500+:¥8.04

100+:¥8.5894

50+:¥9.8021

10+:¥10.988

1+:¥12.8774

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 80 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,20A
功率 - 最大值 37 W
开关能量 209µJ(开),261µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 115 nC
25°C 时 Td(开/关)值 42.5ns/177ns
测试条件 400V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 90 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包