IKW40N65H5
JSMSEMI(杰盛微)
TO-247
¥8.625
0
IGBT管/模块
集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):40A,正向压降(Vf):2.55V@40A,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.95V@40A,15V
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渠道
IKW40N65H5
JSMICRO/深圳杰盛微

1350+:¥8.625

900+:¥8.85

450+:¥9.0

300000

24+
2-4周

价格趋势
规格参数
属性 属性值
集射极击穿电压(Vces) 650V
集电极电流(Ic) 40A
正向压降(Vf) 2.55V@40A
集射极饱和电压(VCE(sat)) 1.95V@40A,15V