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HGTP5N120BND
onsemi(安森美)
TO-220AB
IGBT管/模块
IGBT类型：NPT(非穿通型)，集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：21A，耗散功率(Pd)：167W
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HGTP5N120BND
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onsemi(安森美)
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TO-220AB
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800+:￥7.78 500+:￥7.9 100+:￥8.17 50+:￥8.76 10+:￥11.46 1+:￥12.38 |
630 |
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立即发货
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立创商城
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HGTP5N120BND
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ON SEMICONDUCTOR
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1+:￥10.1401 |
12 |
2212
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现货最快4H发
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京北通宇
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HGTP5N120BND
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安森美(onsemi)
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TO-220AB-3
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100+:￥31.9333 50+:￥38.32 10+:￥47.9 1+:￥57.4799 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| IGBT类型 | NPT(非穿通型) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集电极电流(Ic) | 21A |
| 耗散功率(Pd) | 167W |