咨询/建议
STGWT30HP65FB
ST(意法半导体)
TO-3P
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
STGWT30HP65FB
|
ST(意法半导体)
|
TO-3P
|
100+:￥3.96 30+:￥4.218 10+:￥4.921 1+:￥5.328 |
401 |
20+/21+
|
在芯间
|
|
|
STGWT30HP65FB
|
STMICROELECTRONICS
|
TO-3P
|
1+:￥8.9964 |
30 |
2111
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
STGWT30HP65FB
|
ST(意法半导体)
|
TO-3P
|
1000+:￥3.7886 500+:￥3.8418 100+:￥3.9596 30+:￥4.218 10+:￥4.921 1+:￥5.3276 |
1 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
STGWT30HP65FB
|
ST(意法半导体)
|
TO-3P
|
1000+:￥5.0048 500+:￥5.2224 100+:￥5.6576 30+:￥6.0928 1+:￥6.3104 |
2 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
STGWT30HP65FB
|
ST(意法半导体)
|
Tube
|
300+:￥10.61 1+:￥10.93 |
0 |
-
|
立即发货
|
圣禾堂
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 120 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，30A |
| 功率 - 最大值 | 260 W |
| 开关能量 | 293µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 149 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | -/146ns |
| 测试条件 | 400V，30A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 140 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |