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STGB10NC60KDT4
ST(意法半导体)
D2PAK
IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：30 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，5A，功率 - 最大值：65 W
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封装
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价格(含税)
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STGB10NC60KDT4
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ST(意法半导体)
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D2PAK
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500+:￥4.4 100+:￥4.77 30+:￥5.38 10+:￥6.0 1+:￥7.23 |
868 |
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1000+:￥4.1 1+:￥4.27 |
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圣禾堂
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意法半导体(ST)
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油柑网
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ST(意法半导体)
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TO-263-3
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STMICROELECTRONICS
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D2PAK
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50+:￥6.1873 1+:￥6.4563 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 20 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 30 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2.5V @ 15V，5A |
| 功率 - 最大值 | 65 W |
| 开关能量 | 55µJ（开），85µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 19 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 17ns/72ns |
| 测试条件 | 390V，5A，10欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 22 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |