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STGB30M65DF2
ST(意法半导体)
D2PAK
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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STGB30M65DF2
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ST(意法半导体)
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D2PAK
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100+:￥6.05 30+:￥6.5 10+:￥6.91 1+:￥7.64 |
384 |
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立即发货
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立创商城
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STGB30M65DF2
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意法半导体(ST)
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D2PAK
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1000+:￥12.1072 100+:￥14.5286 10+:￥16.9501 1+:￥21.1876 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 120 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，30A |
| 功率 - 最大值 | 258 W |
| 开关能量 | 300µJ（开），960µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 80 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 31.6ns/115ns |
| 测试条件 | 400V，30A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 140 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |