STGF15M65DF2
ST(意法半导体)
TO-220FP
¥3.96
13,001
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
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STGF15M65DF2
ST(意法半导体)
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STGF15M65DF2
意法半导体(ST)
TO-220FP-3

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STGF15M65DF2
ST(意法半导体)
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规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 60 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,15A
功率 - 最大值 31 W
开关能量 90µJ(开),450µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 45 nC
25°C 时 Td(开/关)值 24ns/93ns
测试条件 400V,15A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 142 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包