咨询/建议
SVF4N65DTR
SILAN(士兰微)
TO-252-2(DPAK)
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：2.7Ω@10V,2A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SVF4N65DTR
|
SILAN(士兰微)
|
TO-252-2(DPAK)
|
2500+:￥0.55 1+:￥0.594 |
2486 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
SVF4N65DTR
|
Silan(士兰)
|
TO-252-2(DPAK)
|
2500+:￥0.572 1+:￥0.61776 |
2485 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SVF4N65DTR
|
SILAN(士兰微)
|
1250+:￥0.6534 100+:￥0.7711 50+:￥1.0021 |
2486 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
|
SVF4N65DTR
|
SILAN(士兰微)
|
TO-252-2(DPAK)
|
500+:￥0.7754 150+:￥0.9319 50+:￥1.0574 5+:￥1.3501 |
675 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SVF4N65DTR
|
SILAN(士兰微)
|
TO-252-2(DPAK)
|
100+:￥0.79 30+:￥0.947 10+:￥1.072 1+:￥1.364 |
1805 |
20+/21+
|
在芯间
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V,2A |