HXY70P03D
华轩阳
TO-252-2L
¥0.6193
1,530
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):70A,导通电阻(RDS(on)):10mΩ@10V
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HXY70P03D
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

5000+:¥0.6193

2500+:¥0.6569

500+:¥0.7635

150+:¥0.9042

50+:¥1.0169

5+:¥1.28

1530

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 70A
导通电阻(RDS(on)) 10mΩ@10V