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BSS159NH6327XTSA2
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：230mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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BSS159NH6327XTSA2
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23
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15000+:￥0.5982 3000+:￥0.6647 1500+:￥0.9173 |
27000 |
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油柑网
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BSS159NH6327XTSA2
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INFINEON
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SOT-23
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1+:￥0.784 |
100 |
2313
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSS159NH6327XTSA2
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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10000+:￥0.6401 3000+:￥0.6518 500+:￥0.6983 1+:￥0.7565 |
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立创商城
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BSS159NH6327XTSA2
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.757 1+:￥0.816 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23(SOT-23-3)
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100+:￥0.821 30+:￥0.992 10+:￥1.129 1+:￥1.449 |
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20+/21+
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 230mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 160mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 26µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.4 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 39 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |