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DMP3160L-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMP3160L-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.179 1+:￥0.202 |
4845 |
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圣禾堂
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3000+:￥0.18616 1+:￥0.21008 |
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硬之城
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DIODES(美台)
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SOT-23
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9000+:￥0.1912 6000+:￥0.2041 3000+:￥0.2301 300+:￥0.2626 100+:￥0.3058 10+:￥0.3924 |
31510 |
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Diodes(达尔)
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SOT-23
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1500+:￥0.2626 200+:￥0.3029 110+:￥0.468 |
4845 |
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Diodes(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.18824 1500+:￥0.2132 200+:￥0.2444 1+:￥0.3796 |
6015 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 122 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 227 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.08W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |