D2N65
晶导微电子
TO-252-3
¥0.27751
5,545
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss):650V,连续漏极电流(Id):2A,导通电阻(RDS(on)):4.3Ω@10V,耗散功率(Pd):32W
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D2N65
Jingdao(晶导微电子)
TO-252(DPAK)

5000+:¥0.2775

2000+:¥0.2849

500+:¥0.2973

300+:¥0.3221

100+:¥0.3469

1+:¥0.3717

2495

-
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D2N65
晶导微电子
TO-252-3

500+:¥0.3607

150+:¥0.4081

50+:¥0.4712

5+:¥0.5975

550

-
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D2N65
晶导微(JINGDAO)
TO-252(DPAK)

5000+:¥0.593

2000+:¥0.8302

500+:¥0.9488

300+:¥1.0081

100+:¥1.1267

1+:¥1.3698

2495

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D2N65
晶导微电子
TO-252-3

1+:¥0.7566

5

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id) 2A
导通电阻(RDS(on)) 4.3Ω@10V
耗散功率(Pd) 32W