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RSM002P03T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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渠道
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RSM002P03T2L
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ROHM(罗姆)
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VMT3(SOT-723)
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8000+:￥0.329 1+:￥0.358 |
20969 |
25+
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圣禾堂
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RSM002P03T2L
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VMT3
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8000+:￥0.3328 1+:￥0.36296 |
20962 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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RSM002P03T2L
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ROHM(罗姆)
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SOT-723
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2500+:￥0.338 500+:￥0.4072 150+:￥0.4304 50+:￥0.4614 5+:￥0.5234 |
3240 |
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立创商城
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RSM002P03T2L
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ROHM(罗姆)
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SOT-723-3
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1500+:￥0.38 500+:￥0.4 150+:￥0.5 50+:￥0.55 5+:￥0.7 |
947 |
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华秋商城
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RSM002P03T2L
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ROHM(罗姆)
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VMT
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8000+:￥0.4277 4000+:￥0.4654 2000+:￥0.4979 500+:￥0.5382 100+:￥0.5915 70+:￥0.726 |
20969 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |