咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.85Ω@10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：2.2Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：7.5Ω@5V,50mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，耗散功率(Pd)：500mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：130mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@5V,100mA
漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：360mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V,0.2A，耗散功率(Pd)：260mW
漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@10V，耗散功率(Pd)：690mW
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：880mA，导通电阻(RDS(on))：250mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：270mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：42mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：42mΩ@10V；49mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：1.25Ω@1.8V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：27mΩ@4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：55V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：4.5Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：34mΩ@4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：1.3A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@10V；250mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：24mΩ@10V,6A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：210mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：700mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：19V，连续漏极电流(Id)：1.5A，导通电阻(RDS(on))：108mΩ@4.5V,1.5A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.9A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@4.5V,5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.7A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@2.5V,3.1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.4A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V,4.4A
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@1.8V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.9A，导通电阻(RDS(on))：41mΩ@4.5V,5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@4.5V,2.8A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.9A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@1.8V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：5A，耗散功率(Pd)：2W
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：34mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.5A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@2.5V,4A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V,3A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：765mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：430mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V,8A
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5.5A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V,4A，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.1A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V