咨询/建议
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.8V，8V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
门极触发电压(Vgt)：1.3V，保持电流(Ih)：15mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，门极触发电流(Igt)：10mA
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：3W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.8A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，耗散功率(Pd)：30W
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：78A，导通电阻(RDS(on))：6.3mΩ@4.5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：12 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：220mV @ 50mA，2.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
可控硅类型：1个双向可控硅，门极触发电压(Vgt)：1.3V，保持电流(Ih)：10mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：4A，集射极击穿电压(Vceo)：140V，耗散功率(Pd)：1.6W
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：2 NPN（双）配对，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：160V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V
FET 类型：N 和 P 沟道互补型，FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A，2.5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 3.4A，4.5V
门极触发电压(Vgt)：1.5V，保持电流(Ih)：20mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V，门极触发电流(Igt)：10mA
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V；28mΩ@2.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V,4A，耗散功率(Pd)：1.1W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：49mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V,15A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：34A，导通电阻(RDS(on))：12.5mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V,1.5A，耗散功率(Pd)：3W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ@10V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.9A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：5A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：1W
电压 - 断态：600 V，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：800 mV，电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）：200 µA，电压 - 通态 (Vtm)（最大值）：1.45 V，电流 - 通态 (It (AV))（最大值）：800 mA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.2A（Ta），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：365 毫欧 @ 1.2A，10V
漏源电压(Vdss)：60V，耗散功率(Pd)：2W，阈值电压(Vgs(th))：1.2V，输入电容(Ciss)：1.45nF@20V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：31A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：46A，导通电阻(RDS(on))：16.5mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5，5A（Ta），14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 150mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V；24mΩ@4.5V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Ta），32A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：220mV @ 300mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@10V,25A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：82V，连续漏极电流(Id)：95A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：240V，连续漏极电流(Id)：350mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@10V,0.35A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：400 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 50mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）