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FZT658TA
DIODES(美台)
TO-261-4，TO-261AA
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
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封装
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价格(含税)
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库存
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DIODES INCORPORATED
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1000+:￥1.272 1+:￥1.32 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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FZT658TA
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DIODES(美台)
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SOT223
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1000+:￥1.34 1+:￥1.46 |
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2年内
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圣禾堂
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FZT658TA
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DIODES(美台)
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SOT-223
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1000+:￥1.41 500+:￥1.52 100+:￥1.71 30+:￥2.12 10+:￥2.46 1+:￥3.24 |
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FZT658TA
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DIODES INCORPORATED
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SOT-223
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100+:￥1.4406 1+:￥1.568 |
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京北通宇
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DIODES(美台)
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SOT-223
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400+:￥1.4592 200+:￥1.6416 10+:￥2.3616 1+:￥3.1104 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 400 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 10mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 40 @ 200mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 2 W |
| 频率 - 跃迁 | 50MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |