咨询/建议
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：55V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：11A，阈值电压(Vgs(th))：1.2V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 1mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：12V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：61 毫欧 @ 3.6A，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8.8A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@10V,8.5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：43A，导通电阻(RDS(on))：6.9mΩ@4.5V,10A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：4A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：540mA，430mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 540mA，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：310mΩ@4.5V,2A
通道数：八路，集射击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：500mA，最大输入电压(VI)：30V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.7W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：1.5W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：20A，耗散功率(Pd)：20W
可控硅类型：1个双向可控硅，门极触发电压(Vgt)：1.3V，保持电流(Ih)：50mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：330mV @ 150mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：7.3mΩ@4.5V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平栅极，5V 驱动，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 5A，4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：6A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：833mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：65A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@4.5V,15A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4.5A，导通电阻(RDS(on))：76mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：1.5A，导通电阻(RDS(on))：600mΩ@4.5V,1A
可控硅类型：1个双向可控硅，门极触发电压(Vgt)：1.5V，保持电流(Ih)：80mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@10V,5A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：78A，导通电阻(RDS(on))：7.2mΩ@10V,78A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：530mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
可控硅类型：1个双向可控硅，门极触发电压(Vgt)：1.5V，保持电流(Ih)：80mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A，3.5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 4.5A，10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 1.5A，15A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16.4 毫欧 @ 10A，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：500V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：340mΩ@10V,9A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：30 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，5A，功率 - 最大值：65 W
集射极击穿电压(Vces)：600V，集电极电流(Ic)：60A，耗散功率(Pd)：35.5W，正向压降(Vf)：1.7V@30A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：400 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V