MMBT5550LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1098
12,196
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):140 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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MMBT5550LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.1098

1448

2308
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MMBT5550LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.11

1+:¥0.124

1741

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MMBT5550LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

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1737

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MMBT5550LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.121

6000+:¥0.1306

3000+:¥0.1375

800+:¥0.1925

100+:¥0.275

20+:¥0.4475

1761

-
MMBT5550LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

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100+:¥0.186

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750

22+

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 140 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 60 @ 10mA,5V
功率 - 最大值 225 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3