FZT653TA
DIODES(美台)
SOT-223
¥0.902
22,381
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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FZT653TA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥0.86

1+:¥0.933

22101

2年内
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FZT653TA
Diodes(达尔)
SOT-223

1000+:¥0.902

60+:¥0.9779

21081

-
3天-15天
FZT653TA
DIODES(美台)
SOT-223

1000+:¥1.0841

150+:¥1.34

50+:¥1.5256

5+:¥1.9585

1300

-
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FZT653TA
DIODES(美台)
SOT-223-3

1000+:¥0.9546

50+:¥1.0356

1+:¥1.3431

22102

25+
2-4工作日
FZT653TA
Diodes Incorporated
SOT-223-3

10000+:¥0.9637

5000+:¥0.9888

3000+:¥1.0224

1000+:¥1.0475

27000

-
3-5工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 100 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 175MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA