咨询/建议
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，整流电流：51A，正向压降(Vf)：1.55V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：19A，耗散功率(Pd)：134W
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：15A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 15 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：19A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 5 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：16A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 16 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1对共阴极，整流电流：17A，正向压降(Vf)：1.4V@5A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：7.2A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：30A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.1 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：8A，正向压降(Vf)：1.5V@8A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：16A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：12A，正向压降(Vf)：1.5V@12A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：15A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 15 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：34A，正向压降(Vf)：1.25V@16A，直流反向耐压(Vr)：650V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Tc），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 8.5A，18V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，耗散功率(Pd)：125W，阈值电压(Vgs(th))：4.5V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：73A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 30 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：12A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 12 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
类型：N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：57A，耗散功率(Pd)：263W
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：83 毫欧 @ 13A，18V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：19A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：41A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：24A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 7.5 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：40A，耗散功率(Pd)：312W，阈值电压(Vgs(th))：4.2V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiC（碳化硅结晶体管），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：73A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：39A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 16 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：900V，连续漏极电流(Id)：23A，耗散功率(Pd)：97W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：20A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：30A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns，不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：200 µA @ 1200 V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：32A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1700 V，电流 - 平均整流 (Io)：31A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：53A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
二极管配置：1对共阴极，整流电流：44A，正向压降(Vf)：1.4V@15A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV