C3M0120090J-TR
Wolfspeed
TO-263-7
¥52.91
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碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:SiCFET(碳化硅),漏源电压(Vdss):900 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V
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C3M0120090J-TR
WOLFSPEED
TO-263-7

100+:¥52.91

30+:¥53.79

10+:¥54.67

1+:¥56.0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 155 毫欧 @ 15A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 17.3 nC @ 15 V
Vgs(最大值) +18V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 350 pF @ 600 V
功率耗散(最大值) 83W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA