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SCT10N120
ST(意法半导体)
HiP-247
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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SCT10N120
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ST(意法半导体)
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HiP-247
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30+:￥41.08 10+:￥45.81 1+:￥53.58 |
60 |
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立即发货
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立创商城
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SCT10N120
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意法半导体(ST)
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HiP-247
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30+:￥62.091 |
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油柑网
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ST(意法半导体)
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HiP-247
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100+:￥105.579 30+:￥105.579 10+:￥105.579 1+:￥105.579 |
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20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 690 毫欧 @ 6A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 22 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +25V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 290 pF @ 400 V |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |