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IMZA65R048M1H
Infineon(英飞凌)
TO-247-4
碳化硅场效应管(MOSFET)
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，耗散功率(Pd)：125W，阈值电压(Vgs(th))：4.5V
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厂家型号
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价格(含税)
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IMZA65R048M1H
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Infineon(英飞凌)
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TO-247-4
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30+:￥36.38 10+:￥38.07 1+:￥39.01 |
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立即发货
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立创商城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-247-4
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100+:￥55.7333 30+:￥66.88 10+:￥83.6 1+:￥100.3199 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 类型 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |