咨询/建议
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：189 毫欧 @ 6A，18V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：49A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
整流电流：4A，正向压降(Vf)：2.1V@4A，直流反向耐压(Vr)：600V，反向电流(Ir)：300nA@600V
停产
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 4 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
停产
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：12A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 12 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：33A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：39A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 16 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：47A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：40A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.95 V @ 16 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1对共阴极，整流电流：55A，正向压降(Vf)：1.4V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
停产
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 5 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不适用于新设计
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
停产
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
停产
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
停产
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不适用于新设计
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
停产
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V
停产
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：20A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.1 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1 对共阴极，二极管类型：肖特基，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 20 A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1700 V，电流 - 平均整流 (Io)：16A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：68A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
二极管配置：1对共阴极，整流电流：31A，正向压降(Vf)：1.4V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
不适用于新设计
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：3A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.3 V @ 3 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：12A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.1 V @ 12 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：119A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.45 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns，不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：100 µA @ 650 V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）