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FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
二极管配置：独立式，整流电流：33A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：15A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.7kV，连续漏极电流(Id)：7A，耗散功率(Pd)：62W
二极管配置：1对共阴极，整流电流：44A，正向压降(Vf)：1.5V@15A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：1对共阴极，整流电流：40A，正向压降(Vf)：1.45V@40A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：14.4A，正向压降(Vf)：1.7V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.7kV
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
二极管配置：独立式，整流电流：20A，正向压降(Vf)：1.5V@8A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：45A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.3 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：19A，耗散功率(Pd)：125W
二极管配置：独立式，整流电流：24A，正向压降(Vf)：1.25V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：8A（DC），不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：13A，耗散功率(Pd)：75W
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：43.5A，正向压降(Vf)：1.6V@15A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流(Io)：20A，正向压降(Vf)：1.5V，直流反向耐压(Vr)：650V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：18A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：21.5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 15 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：13.5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：30A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：13.5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 4 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：24A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：3A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.3 V @ 3 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1对共阴极，整流电流：34A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：54.5A，正向压降(Vf)：1.5V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：15A，正向压降(Vf)：1.4V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：1对共阴极，整流电流：56.5A，正向压降(Vf)：1.5V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流(Io)：20A，正向压降(Vf)：1.45V，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V