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IMBG120R090M1HXTMA1
Infineon(英飞凌)
TO-263-7-12
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Tc），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 8.5A，18V
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封装
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价格(含税)
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渠道
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IMBG120R090M1HXTMA1
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-7-12
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1000+:￥34.1348 |
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立创商城
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IMBG120R090M1HXTMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TO-263-7-12
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100+:￥59.7067 30+:￥71.648 10+:￥89.5601 1+:￥107.4721 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 8.5A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 3.7mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 23 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +18V，-15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 763 pF @ 800 V |
| FET 功能 | 标准 |
| 功率耗散（最大值） | 136W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |