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FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：68A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
二极管配置：独立式，整流电流(Io)：19A，正向压降(Vf)：1.5V@6A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：2A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：2A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不适用于新设计
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：3A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 3 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：19A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：3A，正向压降(Vf)：1.5V@3A，直流反向耐压(Vr)：650V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.3 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：2A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.3 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 5 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 5 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：19A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，整流电流：16A，正向压降(Vf)：1.25V@6A，直流反向耐压(Vr)：650V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：2.15A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，整流电流(Io)：5A，正向压降(Vf)：1.5V@5A，直流反向耐压(Vr)：650V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，整流电流：54.5A，正向压降(Vf)：1.5V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：2A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，整流电流：54.5A，正向压降(Vf)：1.5V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 6 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：19.1A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 5 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：33 µA @ 1200 V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：11.8A，正向压降(Vf)：1.4V@2A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：12A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.45 V @ 12 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：35A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 12 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
整流电流：8A，正向压降(Vf)：1.8V@8A，直流反向耐压(Vr)：600V，反向电流(Ir)：600nA@600V
二极管配置：独立式，整流电流：10A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
整流电流：10A，正向压降(Vf)：1.8V@10A，直流反向耐压(Vr)：600V，反向电流(Ir)：800nA@600V
二极管配置：独立式，整流电流：30A，正向压降(Vf)：1.45V，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：9A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 5 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V，15V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：16A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 16 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.95 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：12A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 12 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1对共阴极，整流电流：55A，正向压降(Vf)：1.4V@15A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV