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SCTH35N65G2V-7
ST(意法半导体)
H2PAK-7
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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SCTH35N65G2V-7
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ST(意法半导体)
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H2PAK-7
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100+:￥16.0524 30+:￥17.3862 10+:￥26.1936 1+:￥35.0336 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V，20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 67毫欧 @ 20A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 73 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370 pF @ 400 V |
| 功率耗散（最大值） | 208W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |